“恒泰柯中低压MOSfet HGN029NE4SL”参数说明
是否有现货: | 是 | 类型: | 增强型MOS管(N沟道) |
材料: | N-FET硅N沟道 | 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 |
用途: | 电机驱动 | DFN5*6: | 45V,2.9毫欧,持续电流180A |
“恒泰柯中低压MOSfet HGN029NE4SL”详细介绍
HGN029NE4SL是DFN5*6mm封装,耐压45V RDSON 2.9毫欧 持续电流180A,加强型雪崩能量,适合快充,电机类应用。
是否有现货: | 是 | 类型: | 增强型MOS管(N沟道) |
材料: | N-FET硅N沟道 | 封装外形: | SMD(SO)/表面封装 |
用途: | 电机驱动 | DFN5*6: | 45V,2.9毫欧,持续电流180A |
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